[发明专利]磁性穿隧接面结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910795362.7 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110867512B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 杨毅;沈冬娜;桑达维格纳许;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述蚀刻磁性穿隧接面结构的方法。磁性穿隧接面堆叠物沉积于底电极上，其中磁性穿隧接面堆叠物包括至少固定层、在固定层上的阻挡层及在阻挡层上的自由层。顶电极沉积于磁性穿隧接面堆叠物上，硬掩膜沉积于顶电极上，蚀刻顶电极和硬掩膜。之后，蚀刻未被硬掩膜覆盖的磁性穿隧接面堆叠物，此蚀刻停止于固定层上或固定层中。之后，封装层沉积于部分蚀刻的磁性穿隧接面堆叠物上方，且蚀刻封装层的水平表面，以在磁性穿隧接面堆叠物的侧壁上保留自对准硬掩膜。最后，蚀刻未被硬掩膜和自对准硬掩膜覆盖的磁性穿隧接面堆叠物，以完成磁性穿隧接面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 穿隧接面 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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