[发明专利]一种半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910795479.5 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112447828A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 王立娜;汤陈龙 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法在基底上形成第一初始栅电极结构后，刻蚀所述第一初始栅电极结构的底部侧壁，使第一初始栅电极结构形成第一栅电极结构，所述第一栅电极结构底部的基底中具有第一沟道区，在沿所述第一沟道区的长度方向上，所述第一栅电极结构的底部尺寸小于顶部尺寸。由于第一初始栅电极结构在第一沟道区的长度方向上的尺寸相对较大，因此在形成第一初始栅电极结构的过程中，能够较好的控制第一初始栅电极结构的尺寸均一性。而第一栅电极结构由刻蚀第一初始栅电极的底部侧壁而形成，因此形成的第一栅电极结构的尺寸均一性较好，从而提高了器件的尺寸均一性，进而提高了器件的性能均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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