[发明专利]基于SiOx:Ag/TaOx双阻变层的忆阻突触器件及方法在审
| 申请号： | 201910795647.0 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110459675A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 李伟;刘诚;赵昕;袁余涵;陈鹏宇;李东阳;蒋向东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 敖欢<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 611731四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SiOx:Ag/TaOx双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变层 制备 突触 磁控溅射 下电极 电极 单晶抛光硅片 磁控共溅射 采用直流 从上至下 单晶硅片 干燥处理 金属离子 依次设置 阻挡层 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种基于SiOx:Ag/TaOx双阻变层的忆阻突触器件，其特征在于：包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；/n所述的第一阻变层是通过反应磁控共溅射方法获得的含银纳米颗粒的SiOx薄膜，x＝1.8～2.0；/n所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；/n所述的第二阻变层是通过磁控溅射方法获得的TaOx薄膜，x＝2.0～2.5；/n所述的上电极为采用直流磁控溅射获得的上层金属和下层金属构成的双层复合上电极，总厚度为30nm～100nm。/n
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