[发明专利]一种自密封的微纳流控芯片加工方法有效
申请号: | 201910795946.4 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110560185B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 张琬皎 | 申请(专利权)人: | 杭州欧光芯科技有限公司 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 311200 浙江省杭州市大江东产业*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了一种自密封的微纳流控芯片加工方法。在玻璃或硅晶圆的基板上用纳米压印的方法制作由压印胶组成的微纳流道及其上的残余层,微纳流道上还包含有残余层;用反应离子刻蚀的方法去掉压印胶的残余层;用原子层沉积的方法,在基板和微纳流道上沉积一层二氧化硅SiO |
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搜索关键词: | 一种 密封 微纳流控 芯片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自密封的微纳流控芯片加工方法,其特征在于:/nS1、在玻璃或硅晶圆的基板(1)上用纳米压印的方法制作由压印胶组成的微纳流道(2)及其上的残余层(3),微纳流道上还包含有残余层(3);/nS2、用反应离子刻蚀(reaction ionetching,RIE)的方法去掉压印胶的残余层(3);/nS3、用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)的方法,在基板(1)和微纳流道(2)上沉积一层二氧化硅SiO
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