[发明专利]一种自密封的微纳流控芯片加工方法有效

专利信息
申请号: 201910795946.4 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110560185B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 张琬皎 申请(专利权)人: 杭州欧光芯科技有限公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 311200 浙江省杭州市大江东产业*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种自密封的微纳流控芯片加工方法。在玻璃或硅晶圆的基板上用纳米压印的方法制作由压印胶组成的微纳流道及其上的残余层,微纳流道上还包含有残余层;用反应离子刻蚀的方法去掉压印胶的残余层;用原子层沉积的方法,在基板和微纳流道上沉积一层二氧化硅SiO2或二氧化钛TiO2的沉积层;在微纳流道的两端部打孔分别作为液体试样的进口和出口;将基板放入高温加热炉中加热,使压印胶气化挥发,待压印胶完全挥发,将基板拿出获得芯片。本发明使得二氧化硅或二氧化钛与玻璃或硅基底紧密的结合在一起,实现极好的密封性,可以实现微米级、甚至纳米级高精度结构的加工,可以避免玻璃的高温变形及结构坍塌现象。
搜索关键词: 一种 密封 微纳流控 芯片 加工 方法
【主权项】:
1.一种自密封的微纳流控芯片加工方法,其特征在于:/nS1、在玻璃或硅晶圆的基板(1)上用纳米压印的方法制作由压印胶组成的微纳流道(2)及其上的残余层(3),微纳流道上还包含有残余层(3);/nS2、用反应离子刻蚀(reaction ionetching,RIE)的方法去掉压印胶的残余层(3);/nS3、用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)的方法,在基板(1)和微纳流道(2)上沉积一层二氧化硅SiO
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