[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910796382.6 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110492860A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王亮;程凯;于洪宇 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17;H03H9/02 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。其中，方法包括：提供过渡基板，并在过渡基板上沉积氮化铝材料；对氮化铝材料进行退火处理，形成氮化铝层；在氮化铝层上形成第一电极；提供具有空腔的衬底，将氮化铝层靠近第一电极的一侧与衬底具有空腔的一侧键合，第一电极位于空腔内；去除过渡基板；在氮化铝层远离第一电极的一侧制备第二电极。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制造方法，大大提升了薄膜体声波谐振器中氮化铝材料的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝层 第一电极 薄膜体声波谐振器 氮化铝材料 过渡基板 空腔 衬底 第二电极 退火处理 键合 沉积 去除 制备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供过渡基板，并在所述过渡基板上沉积氮化铝材料；/n对所述氮化铝材料进行退火处理，形成氮化铝层；/n在所述氮化铝层上形成第一电极；/n提供具有空腔的衬底，将所述氮化铝层靠近所述第一电极的一侧与所述衬底具有空腔的一侧键合；所述第一电极位于所述空腔内；/n去除所述过渡基板；/n在所述氮化铝层远离所述第一电极的一侧制备第二电极。/n
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