[发明专利]一种InP HEMT小信号等效电路模型及其参数提取方法有效
| 申请号： | 201910796843.X | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110717241B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吕红亮;乔世兴;李少军;张玉明;武岳 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/30;G06F30/36 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种InP HEMT小信号等效电路模型及其参数提取方法，所述小信号等效电路模型包括，包括连接的本征模块和寄生模块，本征模块包括栅源本征单元、栅漏本征单元、源漏本征单元和衬底本征单元，其中，栅源本征单元分别连接栅极内节点和源极内节点；栅漏本征单元分别连接栅极内节点和漏极内节点；源漏本征单元的一端连接在栅漏本征单元与漏极内节点之间的节点处，另一端连接源极内节点；衬底本征单元分别连接漏极内节点和源极内节点。本发明的InP HEMT小信号等效电路模型，增加了本征衬底电阻和本征衬底电容串联网络，用于表征衬底损耗效应，克服了高频拟合精度不准确的问题，显著提高了模型在高频下的拟合精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp hemt 信号 等效电路 模型 及其 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种InP HEMT小信号等效电路模型，其特征在于，包括连接的本征模块(100)和寄生模块(200)，所述本征模块(100)包括栅源本征单元(101)、栅漏本征单元(102)、源漏本征单元(103)和衬底本征单元(104)，其中，/n所述栅源本征单元(101)分别连接栅极内节点(G’)和源极内节点(S’)，用于表征栅极对源极的调控；/n所述栅漏本征单元(102)分别连接所述栅极内节点(G’)和漏极内节点(D’)，用于表征所述栅极对漏极的调控；/n所述源漏本征单元(103)的一端连接在所述栅漏本征单元(102)与所述漏极内节点(D’)之间的节点处，另一端连接所述源极内节点(S’)，用于表征所述源极与所述漏极的输出效应；/n所述衬底本征单元(104)分别连接所述漏极内节点(D’)和所述源极内节点(S’)，用于表征衬底的损耗效应。/n
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