[发明专利]一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法在审
| 申请号： | 201910797024.7 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110676376A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 周晔;丁光龙;杨林;韩素婷 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法，包括基底、依次叠设在所述基底上的第一电极层、活性层以及第二电极层，所述活性层材质为自氧化的二维MXene材料或二维MXene材料与阻变材料的混合物；所述阻变材料包括：氧化物、硫族化合物、氮化物、硅基材料、有机阻变材料、有机无机杂化阻变材料等。本发明将二维材料MXene自氧化或将其与氧化物通过掺杂的方式进行结合并作为活性层来制备RRAM器件，既可以利用二维MXene表面丰富的活性位点也可以利用氧化物等阻变材料本身的优越性能，因此可以得到制备工艺简单、性能更为优越的存储器件。与基于二维材料的存储器相比，本发明所提出的存储器简化了器件制备工艺，降低了成本，更有利于商业化。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变材料 二维 活性层 氧化物 存储器 二维材料 自氧化 基底 制备 器件制备工艺 有机无机杂化 硫族化合物 阻变存储器 存储器件 第二电极 第一电极 硅基材料 活性位点 制备工艺 混合物 掺杂的 氮化物 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维MXene材料的阻变存储器，包括基底、依次叠设在所述基底上的第一电极层、活性层以及第二电极层，其特征在于，所述活性层材质为自氧化的二维MXene材料；/n或所述活性层材质为二维MXene材料与阻变材料的混合物；/n所述阻变材料为氧化物、硫族化合物、氮化物、硅基材料、有机阻变材料和有机无机杂化阻变材料中的一种或多种。/n
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