[发明专利]提高FBAR滤波器制备良率的方法以及FBAR滤波器在审
| 申请号： | 201910797090.4 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110620563A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/54 | 分类号： | H03H9/54;H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高FBAR滤波器制备良率的方法以及FBAR滤波器，该方法包括：在第一基板上生成压电薄膜，并形成至少一个第一电极；形成支撑层，对支撑层进行刻蚀形成第一支撑层空腔，在支撑层一侧形成第一键合层；在键合衬底的一侧第二键合层，另一侧形成至少一个标记点，在键合衬底上形成贯穿键合衬底的第一通孔；将第一键合层与第二键合层键合连接，去除第一基板，在压电薄膜远离第一电极一侧形成顶电极以及与第一电极连接的电极上引结构，以形成FBAR滤波器。本在制备过程中无需使用牺牲层，保留了压电薄膜的完整性，并且这种在键合衬底上开孔的结构设计，结构稳定，不易塌陷，可以很好的改善压电薄膜的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 压电薄膜 键合层 支撑层 第一电极 第一基板 键合连接 结构稳定 制备过程 电极 标记点 顶电极 上开孔 牺牲层 刻蚀 空腔 良率 上引 通孔 去除 制备 塌陷 贯穿 保留 | ||
【主权项】：
1.一种提高FBAR滤波器制备良率的方法，其特征在于，所述方法包括：/nS1：在第一基板上生成压电薄膜，并在所述压电薄膜远离所述第一基板一侧形成至少一个第一电极；/nS2：形成覆盖所述第一电极的支撑层，并对所述支撑层进行刻蚀形成第一支撑层空腔，在所述支撑层远离所述压电薄膜一侧形成第一键合层；/nS3：在键合衬底的一侧形成用于与所述第一键合层键合连接的第二键合层，另一侧形成至少一个标记点，在所述键合衬底上形成贯穿所述键合衬底的第一通孔，其中，所述第一键合层、第一通孔在所述键合衬底上的位置分别与所述第一键合层、第一支撑层空腔在所述第一基板上的位置对应；/nS4：将所述第一键合层与所述第二键合层键合连接，去除所述第一基板，在所述压电薄膜远离所述第一电极一侧形成顶电极以及与所述第一电极连接的电极上引结构，以形成FBAR滤波器。/n
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