[发明专利]一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910797254.3 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110504937B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王亮;程凯;于洪宇 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 声波 谐振器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器结构的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底一侧形成缓冲层；/n在所述缓冲层上制作牺牲层；/n在所述牺牲层上形成第一电极；/n通过反应磁控溅射的方法在所述缓冲层、所述牺牲层和所述第一电极上沉积氮化铝层；/n在所述氮化铝层上形成第二电极；/n去除牺牲层，形成空腔。/n
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