[发明专利]TDC芯片帕尔贴效应降温装置和方法在审
| 申请号： | 201910797688.3 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110718624A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 叶茂;戴庆达;赵毅强 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/02;H01L35/04;F25B21/02;F25B49/00 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及TDC电路降温技术，为提出散热技术方案，提高扇热效率，也可提高扇热均匀性，本发明，TDC芯片帕尔贴效应降温装置，中心为P型半导体，P型半导体与外部N型半导体圆环的顶部为金属片，通过金属片连接，该金属片处于热端，P型半导体与N型半导体圆环中间为绝缘介质层，N型半导体圆环的外部为P型半导体圆环，N型半导体圆环与P型半导体圆环间为绝缘层，底部为金属圆环，金属圆环连接P型半导体环与N型半导体环，该金属圆环处于冷端，金属圆环设置在TDC芯片上，金属圆环设与TDC芯片之间为绝缘层，开关A和开关B用于控制向P型半导体圆环上下端之间施加不同的控制电压。本发明主要应用于TDC电路降温场合。 | ||
| 搜索关键词： | 圆环 金属圆环 金属片 绝缘层 芯片 电路 绝缘介质层 帕尔贴效应 降温技术 降温装置 控制电压 热均匀性 散热技术 热效率 外部 冷端 热端 施加 应用 | ||
【主权项】：
1.一种TDC芯片帕尔贴效应降温装置，其特征是，中心为P型半导体，P型半导体与外部N型半导体圆环的顶部为金属片，通过金属片连接，该金属片处于热端，P型半导体与N型半导体圆环中间为绝缘介质层，N型半导体圆环的外部为P型半导体圆环，N型半导体圆环与P型半导体圆环间为绝缘层，底部为金属圆环，金属圆环连接P型半导体环与N型半导体环，该金属圆环处于冷端，金属圆环设置在TDC芯片上，金属圆环设与TDC芯片之间为绝缘层，开关A和开关B用于控制向P型半导体圆环上下端之间施加不同的控制电压。/n
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