[发明专利]一种定向转移CVD法制备二维过渡金属硫化物的方法在审
申请号: | 201910799013.2 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110676218A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 坚佳莹;左康年;岳皎洁;董芃凡;骆磊;常洪龙;坚增运 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L31/032;H01L31/18;H01L33/00;H01L33/26 |
代理公司: | 61114 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李凤鸣 |
地址: | 710032 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种定向转移CVD法制备二维过渡金属硫化物的方法。所述方法包括步骤:首先在生长有二维过渡金属硫化物的生长衬底上旋涂PMMA薄膜,将PDMS贴在PMMA薄膜上方,通过浸泡在去离子水中实现PDMS、PMMA及二维过渡金属硫化物与生长衬底的分离;接着用显微镜让选定的二维过渡金属硫化物与目标衬底上的目标位置在同一个垂直面,下降材料位移平台使二维过渡金属硫化物与目标位置贴合;加热保温目标衬底,使PDMS与PMMA分离;最后用丙酮去除PMMA薄膜,实现了二维过渡金属硫化物的定位转移。本发明不需要使用强碱溶液刻蚀生长衬底,安全、环保、简单地将二维过渡金属硫化物完整地定位转移到目标衬底上,可广泛应用于新型二维过渡金属硫化物电子器件的制备。 | ||
搜索关键词: | 过渡金属硫化物 二维 衬底 薄膜 生长 目标位置 丙酮去除 材料位移 电子器件 加热保温 强碱溶液 垂直面 显微镜 刻蚀 上旋 水中 贴合 制备 浸泡 离子 环保 应用 安全 | ||
【主权项】:
1.一种定向转移CVD法制备二维过渡金属硫化物的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤一、提供单面生长有二维过渡金属硫化物的生长衬底,光镜下观察并拍摄后,置于60~70 ºC加热台进行预加热,之后在所述二维过渡金属硫化物表面涂覆PMMA溶液数次,使二维过渡金属硫化物与PMMA薄膜紧贴,形成胶合层;/n步骤二、在所述PMMA胶合层表面粘贴一层PDMS,使得PMMA和PDMS共同成为支撑层,将粘附有二维过渡金属硫化物的支撑层从生长衬底上撕下;/n步骤三、先将PDMS没有粘附PMMA和二维过渡金属硫化物的一面贴于载玻片上,再将载玻片放置于夹具里,二维过渡金属硫化物位于支撑层下面,然后将目标衬底放置于带有加热功能的位移平台上;/n将显微镜系统对焦在目标衬底上表面,寻找转移所需的位置,然后将显微镜系统对焦在PMMA薄膜粘附的二维过渡金属硫化物的下表面,在该表面上寻找尺寸大小合适的二维过渡金属硫化物,此时该二维过渡金属硫化物的位置和衬底上选定的目标区域将会大致对准,通过缓慢下降夹具并且不断调整焦距,精准地修正二维过渡金属硫化物和目标区域的相对位置,保证两者始终在同一垂直面上,直至两者互相贴合;加热保温数分钟,使PDMS薄膜下表面失去粘性,将粘有PDMS薄膜的载玻片缓慢从目标衬底上移开后,带有二维过渡金属硫化物的PMMA薄膜便紧贴在目标衬底的目标区域,得到前驱体;/n步骤四、将所述前驱体浸泡于丙酮之中,除去PMMA薄膜,得到定位转移于目标衬底的二维过渡金属硫化物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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