[发明专利]一种等离子体处理器及其处理方法有效
申请号: | 201910799287.1 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110310878B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 倪图强;涂乐义 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理器,包括:反应腔,反应腔内设置一个基座,基座上放置有晶圆;源射频电源,用于输出高频射频信号到反应腔内,以点燃并维持等离子体;第一偏置射频电源和第二偏置射频电源,第一偏置射频电源输出第一频率射频信号,第二偏置射频电源输出第二频率射频信号,第一频率小于第二频率,第一频率射频信号和第二频率射频信号叠加后形成周期性的第一叠加信号,并被施加到基座;控制器,用于调节第一频率射频信号和第二频率射频信号的幅值、频率、平均电势或相位中的至少一项,使得第一叠加信号在每个周期中具有三个相继的阶段:下降阶段、平坦阶段和上升阶段。 | ||
搜索关键词: | 频率射频信号 射频电源 偏置 反应腔 等离子体处理器 叠加信号 输出 等离子体 高频射频信号 上升阶段 下降阶段 控制器 电势 晶圆 叠加 平坦 点燃 施加 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理器,包括:反应腔,所述反应腔内设置一个基座,所述基座上放置有晶圆;源射频电源,用于输出高频射频信号到所述反应腔内,以点燃并维持等离子体;第一偏置射频电源和第二偏置射频电源,第一偏置射频电源输出一第一频率射频信号,第二偏置射频电源输出一第二频率射频信号,所述第一频率小于所述第二频率,所述第一频率射频信号和所述第二频率射频信号叠加后形成周期性的第一叠加信号,并被施加到所述基座;控制器,用于调节所述第一频率射频信号和所述第二频率射频信号的幅值、频率、平均电势或相位中的至少一项,使得所述第一叠加信号在每个周期中具有三个相继的阶段:下降阶段、平坦阶段和上升阶段,所述下降阶段在每个周期所占时间小于所述第一频率射频信号的半周期,所述平坦阶段的时长大于所述第一频率射频信号的周期的1/4。
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