[发明专利]薄膜体声波谐振器、滤波器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910800141.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110504938B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张树民;王国浩;汪泉;陈海龙;郑根林;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54 |
| 代理公司： | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 项军 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜体声波谐振器、滤波器及其制备方法，属于电子制造技术领域，其可至少部分解决现有的谐振滤波器在功率承受能力上存在一定的限制——当输入功率增大时，器件散热受限，导致器件温度升高，引起器件频率出现漂移以及产生非线性，影响器件的性能。本发明采用SiC作为基片材料，将谐振器的电极与SiC基片相连，利用SiC基片的高热导率，将高输入功率引起的热量进行及时散除，避免器件的温度升高，并进而避免由于器件温度升高而引起的器件频率漂移和非线性问题，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 滤波器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS110、选择第一基板，并图形化所述第一基板的第一表面，在所述第一表面上形成凹槽区域；/nS120、选择第二基板，在所述第二基板上沉积刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上依次形成第一电极、压电层、第二电极的压电三明治结构；/nS130、将所述第二基板上的所述压电三明治结构对准第一基板的第一表面上的凹槽区域，键合所述第一基板和第二基板；/nS140、利用所述刻蚀停止层去除所述第二基板；其中，/n所述第一基板的材质包括碳化硅。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州左蓝微电子技术有限公司，未经杭州左蓝微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910800141.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法
- 下一篇：一种晶体振荡器及其制造方法
