[发明专利]双色光电探测器及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种双色光电探测器及其制备方法，所述双色光电探测器包括衬底、位于衬底上的pn异质结、及位于pn异质结上的电极，所述pn异质结包括位于衬底上的n型半导体层及位于n型半导体层上的p型半导体层，所述电极包括与n型半导体层电连接的第一电极及与p型半导体层电连接的第二电极，n型半导体层和p型半导体层通过范德华力形成pn异质结。本发明的双色光电探测器采用n型材料和p型材料通过范德华力形成pn异质结，优选地采用BP二维材料和β‑Ga2O3材料通过范德华力形成BP/β‑Ga2O3异质结，p型的BP材料进行中红外探测，n型的β‑Ga2O3材料进行日盲紫外探测，该器件具有制备成本低廉、工艺简单和性能优越等优点，满足在红外、紫外探测技术领域的迫切需求。