[发明专利]场终止绝缘栅双极型晶体管中的背侧掺杂激活在审
| 申请号： | 201910800421.5 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110970491A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | H.耶尔马兹 | 申请（专利权）人： | 艾鲍尔半导体 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/331;H01L29/739;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在制造前侧IGBT结构后没有背侧激光掺杂物激活或任何温度超过450℃的工艺的情况下制造的场终止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)提供具有受控制的掺杂浓度的激活注入区。注入区可以通过外延生长或者离子注入和扩散形成在衬底上或衬底中，然后生长N场终止和漂移层以及前侧制造IGBT有源单元。背侧材料去除可以暴露(多个)注入区以与背侧金属电连接。替代地，在前侧制造IGBT有源单元之后，背侧材料去除可以暴露场终止层(或注入区)，并且使用具有良好控制的掺杂浓度的硅靶的溅射可以形成具有良好控制的掺杂浓度的空穴或电子注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 终止 绝缘 栅双极型 晶体管 中的 掺杂 激活 | ||
【主权项】：
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