[发明专利]原位生长的二维导电金属有机化合物阵列有效
| 申请号： | 201910800483.6 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110624607B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈胜;孙运通;朱俊武;蒋丽丽;汪信 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | B01J31/22 | 分类号： | B01J31/22;C25B1/04;C25B11/057;C25B11/085 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位生长的二维导电金属有机化合物阵列，它包括作为载体的三维基底，及其在三维基底上原位生长的二维导电纳米片阵列，其步骤为：将2,5‑噻吩二羧酸配体溶解于乙醇中；将三维基底置于上述溶液中，在密闭容器中反应；将得到的产物洗涤、干燥，得到所述阵列。该方法所得材料不需要额外金属源，由泡沫基底提供，具有优良的导电性和规则排列的二维阵列结构，可以有效地进行电荷和物质传输，从而在能源、催化等领域中具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 生长 二维 导电 金属 有机化合物 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种原位生长的二维导电金属有机化合物阵列，其特征在于，它包括作为载体的三维基底，及其在三维基底上原位生长的二维导电纳米片阵列，其中，/n当三维基底为泡沫镍时，导电纳米片为镍和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片；/n当三维基底为泡沫铁时，导电纳米片为铁和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片；/n当三维基底为泡沫铜时，导电纳米片为铜和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片；/n当三维基底为泡沫镍铁时，导电纳米片为镍、铁双金属和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片。/n
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