[发明专利]GaN基发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910801128.0 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110581204A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 卢国军;游正璋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 傅康 |
| 地址： | 200135 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，包括依次叠设于电子阻挡层上的第一P型层、第二P型层和第三P型层，第三P型层用于引出金属电极，各P型层的禁带宽度关系为：第二P型层＞第一P型层＞第三P型层，各P型层的掺杂浓度关系为：第二P型层＜第一P型层＜第三P型层。本申请形成具有三层结构的P型外延层，通过调节各层结构的禁带宽度和掺杂浓度，使得P型外延层能够兼顾进一步阻挡电子、提高空穴的浓度和迁移率、降低P型外延层和金属电极之间接触电阻的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 金属电极 外延结构 发光层 衬底 禁带 掺杂 空穴 接触电阻 宽度关系 浓度关系 三层结构 层结构 迁移率 叠设 申请 制备 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：/n衬底；/nN型外延层，位于所述衬底上；/n发光层，位于所述N型外延层上；/n电子阻挡层，位于所述发光层上；及/nP型外延层，包括依次叠设于所述电子阻挡层上的第一P型层、第二P型层和第三P型层，所述第三P型层用于引出金属电极，各所述P型层的禁带宽度关系为：第二P型层＞第一P型层＞第三P型层，各所述P型层的掺杂浓度关系为：第二P型层＜第一P型层＜第三P型层。/n
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