[发明专利]一种超薄结构深紫外LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201910801226.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110676357A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王永进 | 申请（专利权）人： | 南京南邮信息产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邓道花 |
| 地址： | 210038 江苏省南京市南京栖霞*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄结构深紫外LED及其制备方法，超薄结构深紫外LED由从上往下依次设置的掺杂n型AlGaN层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层制成的总厚度小于600nm的深紫外LED。超薄结构深紫外LED制备方法：首先光刻定义器件，并通过刻蚀暴露出掺杂n型AlGaN层，其次生长SiO | ||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 超薄结构 掺杂n型 减薄 量子阱层 去除 制备 电光转换效率 研磨抛光工艺 光通信领域 波导模式 沉积电极 衬底键合 倒装键合 定义器件 发光器件 激光剥离 探测器件 提升器件 依次设置 抑制器件 应用需求 蓝宝石 非掺杂 衬底 光刻 刻蚀 暴露 生长 响应 | ||
【主权项】：
1.一种超薄结构深紫外LED，其特征在于：由从上往下依次设置的掺杂n型AlGaN层（4）、量子阱层（5）、p型电子阻挡层（6）、p型GaN层（7）和新衬底（8）制成的总厚度小于600nm的深紫外LED。/n
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