[发明专利]一种碳化硅MOSFET的栅极驱动器有效

专利信息
申请号: 201910802107.0 申请日: 2019-08-28
公开(公告)号: CN110661515B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 赵文祥;黄林森;杜育轩;邱先群;晋世博;王恒;吉敬华 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;H03K17/14;H03K17/567
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种碳化硅MOSFET的栅极驱动器,包括驱动逻辑控制电路,短路故障检测电路、驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4。本发明通过集成4个驱动模块,分别控制碳化硅MOSFET不同时刻的栅极电压变化,实现了开通栅极电平变化方式、关断栅极电平变化方式、软关断栅极电平变化可配置,实现对碳化硅MOSFET导通沟道宽度的控制,减小了开通时刻出现短路故障的短路电流,提高了碳化硅MOSFET工作的可靠性。
搜索关键词: 一种 碳化硅 mosfet 栅极 驱动器
【主权项】:
1.一种碳化硅MOSFET的栅极驱动器,其特征在于,包括驱动逻辑控制电路,短路故障检测电路、驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4;/n所述驱动逻辑控制电路一端接收PWM驱动信号和输出驱动器工作状态,另一端分别和短路故障检测电路、驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4相连接。驱动逻辑控制电路根据PWM驱动信号和短路故障检测电路的信号控制驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4;/n所述短路故障检测电路还分别同碳化硅MOSFET以及驱动逻辑控制电路相连接,用于检测碳化硅MOSFET的短路和过流信号,并将短路或过流信号传递给驱动逻辑控制电路。/n
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