[发明专利]一种三金属MOF纳米片阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201910802109.X | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110776646B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曹澥宏;尹瑞连;刘文贤;施文慧 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种原位合成三金属MOF纳米片阵列的方法。所述方法包括：1)配置前驱体溶液：将三种含有不同金属离子的金属化合物和有机配体溶于水中，混合均匀得到前驱体溶液；2)纳米片阵列合成：将经过预处理的导电基底置于前驱体溶液中，对其进行水热处理，水热处理结束后即在导电基底表面合成三金属MOF纳米片阵列。本发明制备方法简洁高效，能够快速在导电基底上原位合成三金属MOF纳米片阵列；对设备要求低，原料来源广泛，有利于产业化生产；纳米片尺寸均一、组分分布均匀，纳米片阵列结构完整、生长有序且密集；整体展现出优异的OER性能和恒电流稳定性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 mof 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三金属MOF纳米片阵列的制备方法，其特征在于，/n所述方法包括以下步骤：/n1)配置前驱体溶液：将三种含有不同金属离子的金属化合物和有机配体溶于水中，混合均匀得到前驱体溶液；/n2)纳米片阵列合成：将经过预处理的导电基底置于前驱体溶液中，对其进行水热处理，水热处理结束后即在导电基底表面合成三金属MOF纳米片阵列。/n
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