[发明专利]GaN基发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910802190.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110518100A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 卢国军;游正璋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 傅康<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 200135 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：依次叠设的衬底、N型外延层、量子阱发光层、电子阻挡层和P型外延层，其中，量子阱发光层包括多个交替叠设的势阱和势垒，势垒包括依次叠设的第一非掺杂层、P型掺杂掺层、第二非掺杂层、N型掺杂层和第三非掺杂层，其禁带宽度依次为Eg1、Eg2、Eg3、Eg4和Eg5，Eg1＜Eg2＜Eg3，Eg5＜Eg4＜Eg3。上述势垒包括多层结构，各势垒的禁带宽度自第二非掺杂层向两侧逐渐变窄，使得N型掺杂层中的电子和P型掺杂层中的空穴沿禁带变窄方向流入势阱，在势阱内复合发光，提高发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 非掺杂层 势垒 叠设 禁带 势阱 外延结构 发光层 量子阱 空穴 电子阻挡层 多层结构 复合发光 逐渐变窄 变窄 衬底 制备 发光 申请 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：/n衬底；/nN型外延层，位于所述衬底上；/n量子阱发光层，位于所述N型外延层上，所述量子阱发光层包括多个交替叠设的势阱和势垒，其中，各所述势垒包括依次叠设的第一非掺杂层、P型掺杂掺层、第二非掺杂层、N型掺杂层和第三非掺杂层，所述P型掺杂层的禁带宽度大于所述第一非掺杂层的禁带宽度且小于所述第二非掺杂层的禁带宽度，所述N型掺杂层的禁带宽度大于所述第三非掺杂层的禁带宽度且小于所述第二掺杂层的禁带宽度；/n电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；及/nP型外延层，位于所述电子阻挡层上。/n
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