[发明专利]全视场低像差敏感度一体化光刻方法及光刻系统有效

专利信息
申请号: 201910802742.9 申请日: 2019-08-28
公开(公告)号: CN110806679B 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 李艳秋;李铁;刘阳;孙义钰 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 李微微
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的一种一体化光刻方法,在实施分辨率增强的过程中考虑了光的偏振特性,能够精确描述超大NA情形下光的传播、聚焦和成像过程,有效降低了随机像差对光刻成像的影响,提高了光刻工艺的稳定性;本发明计算当前状态下各视场点对应的光刻成像图形误差;根据当前光刻成像图形误差自适应地确定下一次迭代各视场点的权重;构造全视场目标函数,该方法能够充分平衡全视场光刻成像质量,提高光刻工艺稳定性;构造了光刻成像和矢量光瞳的解析关系,使用共轭梯度法有效求解最优的矢量光瞳分布使得光刻成像图形误差最小,该方法极大地提升了光瞳优化的自由度,能够有效补偿厚掩模复杂衍射带来的偏振效应和光刻系统的偏振像差。
搜索关键词: 视场 低像差 敏感度 一体化 光刻 方法 系统
【主权项】:
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