[发明专利]GaN基发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910802909.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110635005A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;卢国军 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 傅康 |
| 地址： | 200135 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，包括P型主体结构和超晶格结构，超晶格结构包括交替叠设的InAlGaN层和InGaN层，其中，InAlGaN层具有P型掺杂，InGaN层未掺杂。上述外延结构，其P型外延层中由于设有超晶格结构，能够提升空穴的传输能力，且选用InAlGaN层和InGaN层，既能提高对电子的阻挡能力，避免电子进入P型外延层消耗空穴，还能释放应力，使结构更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 超晶格结构 外延结构 空穴 发光层 衬底 电子阻挡层 传输能力 主体结构 未掺杂 叠设 制备 阻挡 消耗 释放 申请 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：/n衬底；/nN型外延层，位于所述衬底上；/n发光层，位于所述N型外延层上；/n电子阻挡层，位于所述发光层上；及/nP型外延层，包括P型主体结构和超晶格结构，所述超晶格结构包括交替叠设的InAlGaN层和InGaN层，其中，所述InAlGaN层具有P型掺杂，所述InGaN层未掺杂。/n
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