[发明专利]调节稀磁半导体磁性能的方法及其制品在审
| 申请号： | 201910803368.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110634639A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 袁冶;王新强;康俊杰;李永德;王后锦;周生强 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/02 |
| 代理公司： | 44218 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调节稀磁半导体磁性能的方法及其制品，本发明的调节方法简单，易于实现，通过He离子束轰击稀磁半导体材料，通过离子束在稀磁半导体材料内部产生电子缺陷而调控材料的费米能级，进而改变材料的磁矩强弱及其居里温度。通过连续改变He离子束的注入通量，材料内部的电子缺陷密度可被自由控制，从而达到连续调控磁性与居里温度的预期目标，而且调节的居里温度与磁矩强度范围宽、调节的变化显著、且适用于大规模产业应用。采用本发明调节稀磁半导体磁性能的方法获得的稀磁半导体制品，可保持良好的单晶外延结构，无条幅分解产生的第二相及其非晶结构出现，并且其居里温度与磁性强度可被连续控制，综合性能好，利于广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 稀磁半导体 稀磁半导体材料 电子缺陷 磁性能 离子束 磁矩 离子束轰击 材料内部 产业应用 单晶外延 非晶结构 费米能级 改变材料 连续调控 连续控制 预期目标 自由控制 综合性能 第二相 通量 条幅 强弱 分解 调控 | ||
【主权项】：
1.一种调节稀磁半导体磁性能的方法，其特征在于：利用He离子束轰击稀磁半导体材料，随着He离子束的剂量增加，所述稀磁半导体材料的居里温度与磁性强度逐渐发生改变，通过连续控制He离子束的注入剂量来自由控制稀磁半导体材料内部产生的电子缺陷密度，从而达到连续调控磁性与居里温度的目的，同时确保所调节的稀磁半导体材料保持良好的外延单晶结构，无条幅分解产生的第二相及其非晶结构出现。/n
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