[发明专利]GaN基发光二极管外延结构在审
| 申请号： | 201910803510.5 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110635006A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;马后永 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 傅康 |
| 地址： | 200135 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构，包括依次叠设的衬底、第一N型外延层、载子流扩散层、第二N型外延层、电子流扩散层、第三N型外延层、电子流扩散层上、发光层、电子阻挡层，位于发光层上及P型外延层，其中，第一载子流扩散层包括多层结构，在自衬底至P型外延层方向，载子流扩散层的禁带宽度逐渐减小，电子流扩散层包括交叠的势阱层和势垒层。通过载子流扩散层在倾斜的局限势垒区内增强电子的横向水平传输能力，避免电流拥挤，使更多电子向发光层方向迁移，再通过电子流扩散层储蓄电子流，降低电子的迁移速率，提高发光层中电子复合的利用率，并减弱电子溢流出发光层的现象，继而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散层 发光层 载子流 衬底 迁移 电子阻挡层 传输能力 电流拥挤 电子复合 多层结构 发光效率 横向水平 外延结构 逐渐减小 势垒层 势阱层 叠设 交叠 禁带 势垒 流出 储蓄 局限 申请 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n第一N型外延层，位于所述衬底上；/n载子流扩散层，位于所述第一N型外延层上，所述载子流扩散层包括多层结构，在自所述衬底至P型外延层方向，所述载子流扩散层的禁带宽度逐渐减小；/n第二N型外延层，位于所述载子流扩散层上；/n电子流扩散层，位于所述第二N型外延层上，所述电子流扩散层包括交叠的势阱层和势垒层；/n第三N型外延层，位于所述电子流扩散层上；/n发光层，位于所述第三N型外延层上；/n电子阻挡层，位于所述发光层上；及/nP型外延层，位于所述电子阻挡层上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技(上海)有限公司，未经映瑞光电科技(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910803510.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
