[发明专利]一种叠层磁性薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910803515.8 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110444364B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周国云;李晓璇;张伟豪;何为;王守绪;陈苑明;洪延;王翀;杨文君 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F10/16;H01F27/24;H01F41/14;H01F41/26;H01F41/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种叠层磁性薄膜，包括2n层磁芯结构，n为正整数，且n≥1，所述2n层磁芯结构包括交替设置的Ni‑Co磁芯层和Ni‑Fe‑W磁芯层。本发明通过依次连续设置的软磁Ni‑Fe‑W合金和Ni‑Co合金，来提高磁芯薄膜磁性能，从而获得高磁性且损耗不会过大的叠层磁性薄膜，以便有效提升电感元件的电感值，保证较高的品质因子和磁芯薄膜稳定性。该制备工艺简单、可靠性强、生产成本低，有利于产业化发展。此外，本发明还涉及一种叠层磁性薄膜的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种叠层磁性薄膜，包括2n层磁芯结构，n为正整数，且n≥1，其特征在于，所述2n层磁芯结构包括交替设置的Ni‑Co磁芯层(2)和Ni‑Fe‑W磁芯层(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910803515.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
