[发明专利]一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201910803577.9 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110492001A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 于军胜;韩于;高林;刘德胜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戴立亮<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,包括从下到上依次设置的衬底,导电阴极,电子传输层,光活性层,空穴传输层和金属阳极,所述光活性层由电子给体材料和电子受体材料混配后经旋涂加热工艺制成,本发明还公开了该光电探测器的制备方法。本发明通过在旋涂仪转台周围放置加热片,可以中和由于转台高速旋转产生的冷气流和环境的影响,使得器件的成膜质量大大提升,这也能够降低活性层表面的粗糙度,形成的薄膜更均匀,容易大面积的生产,优化了电子传输层和活性层之间的接触,最终提升器件的总体性能。 | ||
搜索关键词: | 电子传输层 光活性层 加热工艺 转台 旋涂 有机光电探测器 电子给体材料 电子受体材料 光电探测器 活性层表面 空穴传输层 导电阴极 金属阳极 提升器件 依次设置 粗糙度 活性层 加热片 冷气流 旋涂仪 衬底 成膜 混配 制备 薄膜 中和 优化 生产 | ||
【主权项】:
1.一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,包括光活性层,其特征在于,所述光活性层由电子给体材料和电子受体材料混配后经旋涂加热工艺制成。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910803577.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择