[发明专利]一种防串流光敏二极管芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201910803906.X | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110504278A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 潘建华;王涛;张世权 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防串流光敏二极管芯片及其制造方法，所述防串流光敏二极管芯片包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上间隔地设有多个发光单元，相邻的发光单元之间由阻断深槽相隔离，所述阻断深槽中填充有绝缘介质；每个所述发光单元包括在第一导电类型衬底的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上形成第一导电类型阱区和第二导电类型阱区。所述防串流光敏二极管芯片及其制造方法能够减少相邻二极管之间的光电流干扰，实现电流的均匀输出。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 光敏二极管 发光单元 衬底 串流 外延层 芯片 深槽 导电类型阱 相邻二极管 绝缘介质 光电流 阱区 填充 制造 隔离 输出 | ||
【主权项】：
1.一种防串流光敏二极管芯片，其特征在于，所述防串流光敏二极管芯片包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上间隔地设有多个发光单元，相邻的发光单元之间由阻断深槽（2）相隔离，所述阻断深槽（2）中填充有绝缘介质；每个所述发光单元包括在第一导电类型衬底的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上形成第一导电类型阱区和第二导电类型阱区。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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