[发明专利]碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910804843.X | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110491966B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 梁凤霞;赵兴远;陈红云;罗林保;蒋静静 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法，是在绝缘基底上生长有PtTe |
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| 搜索关键词： | 碲化铂 甲基 氨铅溴钙钛矿单晶异质结 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器，其特征在于：是在绝缘基底上生长有PtTe2薄膜，在所述PtTe2薄膜上的局部区域生长有MAPbBr3钙钛矿单晶，所述PtTe2薄膜与所述MAPbBr3钙钛矿单晶形成异质结；在所述绝缘基底还设置有两金属电极，其中一金属电极位于MAPbBr3钙钛矿单晶上，另一金属电极位于未生长MAPbBr3钙钛矿单晶的PtTe2薄膜上。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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