[发明专利]同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201910804921.6 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110518031B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡玮;韩冰;王新迪 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法，通信芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，所述硅衬底氮化镓晶圆从上至下依次包括p‑GaN层、InGaN多量子阱层、InGaN波导层、AlGaN包覆层、n‑GaN层、缓冲层和硅衬底层，缓冲层上设置光源、探测器和有源波导，所述光源、探测器和有源波导均包括p‑n结、绝缘隔离层、p型电极和n型电极，各p‑n结通过对所述硅衬底氮化镓晶圆刻蚀而成。本发明能够解决异质集成通信芯片器件制备工艺复杂，不能晶圆级集成等问题，简化了制备工艺，传输损耗小，可应用于光通信和光传感领域，能够实现更长距离的片上光信号传输。 | ||
| 搜索关键词： | 同质 集成 光源 探测器 有源 波导 通信 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片，其特征在于：所述通信芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，所述硅衬底氮化镓晶圆从上至下依次包括p-GaN层(7)、InGaN多量子阱层(6)、InGaN波导层(5)、AlGaN包覆层(4)、n-GaN层(3)、缓冲层(2)和硅衬底层(1)，所述缓冲层(2)上设置光源(A)、探测器(C)和有源波导(B)，所述光源(A)、探测器(C)和有源波导(B)均包括p-n结、绝缘隔离层(8)、p型电极(9)和n型电极(10)，各p-n结通过对所述硅衬底氮化镓晶圆刻蚀而成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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