[发明专利]一种自对准式埋栅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201910805305.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110571299B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 黄强;万义茂;崔艳峰;袁声召;林海峰 | 申请（专利权）人： | 东方日升（常州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 吕波 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种自对准式埋栅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法；包括硅衬底、发射极、铝背场以及分别设置于发射极和铝背场上的金属电极，发射极和/或铝背场包括非金属区域以及金属电极的金属区域，发射极和/或铝背场的非金属区域设置钝化层；发射极和/或铝背场上的金属区域下方依次为多晶硅薄膜和氧化硅薄膜；本发明中只在金属电极下方设置对光具有很强吸收特性的多晶硅薄膜，避免了寄生吸收；提出的图形化办法，利用电池制备过程中的金属栅线作为掩膜层，碱溶液作为刻蚀液，不需要额外的掩膜试剂，就可以形成精细的图形；且该金属栅线还可以作为对准点，显著降低二次对准的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 式埋栅 钝化 接触 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准式埋栅钝化接触晶硅太阳电池，其特征在于：包括硅衬底、发射极、基区、铝背场以及分别设置于发射极和铝背场上的金属电极，所述发射极以及铝背场分别位于硅衬底的两侧，所述发射极和/或铝背场包括非金属区域以及金属电极的金属区域，所述发射极和/或铝背场的非金属区域设置钝化层；所述发射极和/或铝背场上的金属区域下方依次为多晶硅薄膜和氧化硅薄膜，使得金属电极只与多晶硅层接触，形成局域钝化接触结构。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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