[发明专利]一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺

摘要

本发明公开了一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，属于铝合金零部件清洗技术领域；一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺：将半导体铝合金零部件放入装有清洗液的超声波清洗机内清洗；放入清水池进行第一次过滤清洗；将清洗后的零部件进行脱脂清洗；放入清水池进行第二次过滤清洗；将零部件进行酸蚀处理；放入清水池进行第三次过滤清洗；将零部件再次放入容器同时加入硝酸浸泡；放入清水池进行第四次过滤清洗；通过喷水枪对零部件进行冲洗，采用热水清洗；采用氮气枪吹干，本发明有效去除灰尘粒子、金属离子、油污、脏污，进而满足客户对零件表面有机物、易挥发物、离子污染等的要求，从而提高晶圆良率。

主权项

1.一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，其特征在于，该清洗工艺依次按照以下步骤进行：/n步骤一：将半导体铝合金零部件放入装有清洗液的超声波清洗机内清洗，且清洗时间在2-4分钟，清洗温度在60~65℃，清洗液浓度为9%v/v；/n步骤二：将经过步骤一后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第一次过滤清洗；/n步骤三：将清洗后的零部件进行脱脂清洗，加入浓度为9%的Oakite 61 b清洗剂，控制水温在60~65℃，清洗时间为5-10分钟；/n步骤四：将经过步骤三后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第二次过滤清洗；/n步骤五：将经过步骤四的零部件放入容器内并加入浓度为3%的氢氟酸和浓度为20%的硝酸进行酸蚀处理，且时长为2-5分钟；/n步骤六：将经过步骤五后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第三次过滤清洗；/n步骤七：将经过步骤六清洗后的零部件再次放入容器同时加入浓度为20%的硝酸浸泡2分钟；/n步骤八：将经过步骤七后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第四次过滤清洗；/n步骤九：延续步骤八，通过喷水枪对零部件进行冲洗，喷水枪的压力为45~55 bar，喷水距离：100~200 mm；/n步骤十：延续步骤九，采用热水清洗，溢流开启1/3，水质≥2MΩ，热水洗时间：2min-5min，温度：38℃-46℃；/n步骤十一：延续步骤十，采用氮气枪吹干，使用0.1μm过滤器过滤后的氮气进行吹干，对于盲孔、缝隙、螺纹处加大吹气量，若表面有脏污，用无尘布+电子级IPA擦拭去除；/n步骤十二：延续步骤十一，在不低于Class 1000的无尘室内进行，使用包装袋抽真空包装。/n