[发明专利]一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅在审
| 申请号： | 201910805721.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110459594A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 乔明;齐钊;邓琪 | 申请（专利权）人： | 成都矽能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 葛启函<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 610093四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅，包括P型衬底，P型衬底上表面两侧设置的N阱区和P阱区，N阱区内表面设置的阳极，P阱区内表面设置的阴极，设置在P型衬底上表面且两端设置在N阱区和P阱区内部的第三N+区，N型隔离环和/或P型隔离环。其中N型隔离环包括设置在N阱区下方的N埋层，设置在N阱区远离P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第一N型深注入层，设置在N阱区靠近P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第二N型深注入层；P型隔离环包括设置在P阱区下方的P埋层，设置在P阱区远离N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第一P型深注入层，设置在P阱区靠近N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第二P型深注入层。 | ||
| 搜索关键词： | 注入层 隔离环 衬底上表面 表面设置 阴极 静电泄放 两侧设置 两端设置 阳极 可控硅 衬底 可用 内嵌 防护 | ||
【主权项】：
1.一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅，包括：/nP型衬底；/n设置在所述P型衬底上表面两侧的N阱区和P阱区；/n设置在所述N阱区内表面的阳极；/n设置在所述P阱区内表面的阴极；/n设置在所述P型衬底上表面且两端分别设置在所述N阱区和P阱区内部的第三N+区；/n其特征在于，所述可控硅还包括N型隔离环和/或P型隔离环；/n所述N型隔离环包括：/n设置在所述N阱区下方的N埋层；/n设置在所述N阱区远离所述P阱区的一侧且与所述N阱区和N埋层相接触的第一N型深注入层，所述第一N型深注入层位于所述P型衬底上表面；/n设置在所述N阱区靠近所述P阱区的一侧且与所述N阱区和N埋层相接触的第二N型深注入层，所述第二N型深注入层的上表面与所述第三N+区的下表面相接触；/n所述P型隔离环包括：/n设置在所述P阱区下方的P埋层；/n设置在所述P阱区远离所述N阱区的一侧且与所述P阱区和P埋层相接触的第一P型深注入层，所述第一P型深注入层位于所述P型衬底上表面；/n设置在所述P阱区靠近所述N阱区的一侧且与所述P阱区和P埋层相接触的第二P型深注入层，所述第二P型深注入层的上表面与所述第三N+区的下表面相接触。/n
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