[发明专利]具有部分EMI屏蔽的半导体器件以及制作其的方法有效
| 申请号： | 201910806462.5 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875284B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | C.金;K.朴;K.邱;S.赵 | 申请（专利权）人： | 星科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有部分EMI屏蔽的半导体器件以及制作其的方法。半导体器件具有衬底。在衬底上设置盖。在衬底上沉积密封剂。将薄膜掩模设置在密封剂上，其中盖从薄膜掩模和密封剂露出。在薄膜掩模、密封剂和盖上形成导电层。在形成导电层之后去除薄膜掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 部分 emi 屏蔽 半导体器件 以及 制作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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