[发明专利]通道全环绕半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910806551.X | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112242392A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈骏盛 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/423;H01L21/8234;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种通道全环绕半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括数个栅极结构以及一个多连通通道层。所述栅极结构具有相同的一延伸方向，且每个栅极结构具有相对的第一端与第二端。多连通通道层则完全环绕所述数个栅极结构，且多连通通道层的平面方向垂直于上述延伸方向，以使所述数个栅极结构的通道都相互连通。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 环绕 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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