[发明专利]一种单行载流子光电二极管有效
| 申请号： | 201910807033.X | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110544732B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;位祺;李献杰;黄永清;段晓峰;罗俊伟;王琦;任晓敏;蔡世伟 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学;河北光森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 苗晓静 |
| 地址： | 100876 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管，该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺，获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低，因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容，减小了RC时间常数，由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单行 载流子 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种单行载流子光电二极管，其特征在于，收集区为部分氧化型收集区，所述部分氧化型收集区中的氧化部分由含Al组分的材料经氧化工艺制备而成。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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