[发明专利]光伏硅废料在制备阵列碳纳米管中的应用有效
| 申请号： | 201910807090.8 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110526230B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 靳玉广;杨裕生;曹庭华;姚瑶;周春梅;戴翼虎 | 申请（专利权）人： | 南京行创新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;C01B32/162 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光伏硅废料在制备阵列碳纳米管中的应用，具体而言，是以光伏硅片切割边角料或硅屑这些光伏硅废料作催化剂负载的基底，通过纯化、洗涤后用化学方法在基底表面负载催化剂，之后将其放入高温炉中，在惰性气氛保护下升温至反应温度，通入碳源反应，最终制得阵列碳纳米管。本发明充分利用了光伏硅废料纯度高、表面平整的特点，用其作为阵列碳纳米管的生长基底制备碳纳米管，为处理光伏硅废料料提供了一种新的思路，大大提高了光伏硅废料的使用价值；也为阵列碳纳米管的低成本制备提供了一种新的途径，该方法可以实现阵列碳纳米管的批量制备，极大地降低了阵列碳纳米管的生产成本，有利于拓展碳纳米管的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 光伏硅 废料 制备 阵列 纳米 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.光伏硅废料在制备阵列碳纳米管中的应用。/n
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