[发明专利]一种改善的半导体器件的背部开封方法有效
| 申请号： | 201910807607.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110618004B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 龚瑜 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/44;G01R31/265 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 518038 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善的半导体器件的背部开封方法，包括以下步骤：激光开封步骤：使用激光对半导体器件背面进行处理以去除半导体器件背部的模封体，直至封装于半导体器件内部的框架裸露出来；酸反应步骤：采用浓度为第一预设数值的硝酸去除铜框架；第一研磨步骤：采用粒度号为第二预设数值的砂纸进行研磨以使得芯片中的硅衬底减薄至预设高度。本发明的改善的半导体器件的背部开封方法针对于半导体器件中不同材质的不同层依次采用激光、酸反应以及研磨的方法来进行分层处理，不仅提高整个半导体器件背部开封的处理速度；且增大了芯片与铜框架之间相距较近的半导体器件的背部观测范围，进一步提升了芯片的观测效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体器件 背部 开封 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善的半导体器件的背部开封方法，其特征在于，包括以下步骤：/n激光开封步骤：使用激光对半导体器件背面进行处理以去除半导体器件背部的模封体，直至封装于半导体器件内部的引线框架裸露出来；/n酸反应步骤：采用浓度为第一预设数值的硝酸去除引线框架；/n第一研磨步骤：采用粒度号为第二预设数值的砂纸对芯片进行研磨以使得芯片中的硅衬底减薄至预设高度；/n第一清洗步骤：采用清水或者酒精对经过减薄的芯片背面进行清洗。/n
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