[发明专利]一种基于SiO2 有效
| 申请号： | 201910808085.9 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110455897B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴丹;马宁;匡轩;王欢;任祥;魏琴 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327;G01N27/30;G01N27/48 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 赵凤 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于介孔二氧化硅通过分子释放原理对Hg |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 sio base sub | ||
【主权项】：
1.一种基于SiO2载体灵敏检测Hg2+的释放型电化学适配体传感器的构建的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）用Al2O3抛光粉打磨直径为4 mm的玻碳电极，超纯水清洗净后滴加6 µL、10 ~ 20 µgmL-1的DNA修饰的金纳米颗粒封堵的包覆甲苯胺蓝的氨基化二氧化硅SiO2-NH2-DNA-AuNPs@TB溶液到电极表面，室温下晾干；/n（2）滴加6 µL、10-2 ~10-12 mol L-1的一系列不同浓度的Hg2+到电极表面，孵化30 min使TB分子释放完全，室温下晾干，即可制得一种释放型电化学适配体传感器。/n
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