[发明专利]一种超结功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910808382.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110416309A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;李宗清 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种超结功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设置有第一导电类型柱、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱，每个第二导电类型第二柱的两侧均与第二导电类型第一柱相邻；第二导电类型第一柱上设置有第二导电类型体区；第二导电类型体区的上方设置有第一栅电极，第二导电类型第二柱上方设置有第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极被第二绝缘介质层间隔且电性连接。本发明还公开了一种超结功率半导体器件的制作方法。本发明提供的超结功率半导体器件可以改善超结半导体器件的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电类型 第一导电类型 功率半导体器件 栅电极 超结 衬底 体区 半导体技术领域 超结半导体器件 漂移 绝缘介质层 电性连接 开关特性 漂移区 制作 | ||
【主权项】：
1.一种超结功率半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底及位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底的表面为所述半导体基板的第一主面，所述第一导电类型衬底背离所述第一导电类型漂移区的表面为所述半导体基板的第二主面，其特征在于，所述第一导电类型漂移区内设置有超结结构，所述超结结构包括第一导电类型柱、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱，所述第一导电类型柱、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱均沿所述第一主面指向所述第二主面的方向延伸，每个所述第二导电类型第二柱的两侧均与所述第二导电类型第一柱相邻，且被所述第一导电类型柱间隔，所述第二导电类型第一柱和所述第二导电类型第二柱电性连接；所述第二导电类型第一柱上设置有第二导电类型体区，且所述第二导电类型体区位于所述第一导电类型漂移区内；所述第二导电类型体区的上方设置有第一栅电极，所述第一栅电极被栅介质层和第二绝缘介质层包围，所述第二导电类型第二柱上方设置有第二栅电极，所述第二栅电极被第一绝缘介质层和第二绝缘介质层包围，所述第一栅电极和所述第二栅电极被所述第二绝缘介质层间隔且电性连接，所述第一绝缘介质层的厚度不小于所述栅介质层的厚度。
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