[发明专利]一种改善STI研磨前晶圆微刮伤的清洗方法有效
| 申请号： | 201910808457.8 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110517951B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 贾丽丽;李芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善STI研磨前晶圆微刮伤的清洗方法，提供制程中的晶圆，该晶圆为STI研磨前的晶圆；对晶圆边缘一圈采用氮气和去离子水进行冲洗，去除制程中晶圆边缘残留的颗粒污染物，冲洗方向为沿着晶圆边缘一圈的切线方向，并且冲洗过程中晶圆呈旋转状态；对冲洗后的晶圆进行STI研磨。本发明通过在STI工艺化学机械研磨前增加晶圆边缘一圈的冲洗，可有效降低研磨导致的微小刮伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sti 研磨 前晶圆微刮伤 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善STI研磨前晶圆微刮伤的清洗方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供制程中的晶圆，该晶圆为STI研磨前的晶圆；/n步骤二、对所述晶圆边缘一圈采用氮气和去离子水进行冲洗，去除制程中晶圆边缘残留的颗粒污染物；所述冲洗方向为沿着晶圆边缘一圈的切线方向，并且冲洗过程中所述晶圆呈旋转状态；/n步骤三、对冲洗后的晶圆进行STI研磨。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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