[发明专利]一种共振型SOI超表面及其在纳米印刷术中的应用有效
| 申请号： | 201910808465.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110568527B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 戴琦;郑国兴;李子乐;李仲阳;邓娟;付娆;邓联贵;李嘉鑫 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B5/30;G02B27/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 李炜 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共振型SOI超表面及其在纳米印刷术中的应用。SOI超表面由多个单元结构周期性阵列于一平面形成，该单元结构共三层结构：纳米砖(晶体硅材料)、中间介质层(熔融石英材料)以及基底(晶体硅材料)。纳米印刷术以SOI超表面为基础，实现高分辨率、灰度信息无损的纳米印刷功能，不仅所设计的超表面体积小、结构紧凑，并且与半导体工艺完全兼容，可广泛应用于高密度光信息存储、高端产品防伪等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共振 soi 表面 及其 纳米 印刷术 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种共振型SOI超表面，其特征在于：/n由多个单元结构周期性阵列于一平面上构成；/n所述单元结构包括三层结构，由下至上依次为基底、介质层和顶层；/n其中，/n基底为具有正方形顶面的方块；/n介质层为具有正方形顶面的方块；/n顶层为纳米砖；/n基底和介质层的顶面边长相同；/n所述超表面对光的调制为沿纳米砖长轴偏振的光在纳米砖中发生共振，光直接反射；沿短轴偏振的光在介质层中发生多光束干涉，能量被硅衬底吸收，以达到偏振分离的作用。/n
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