[发明专利]基于浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法在审
| 申请号： | 201910808515.7 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110571284A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;朱丹;张进成;张雅超;张苇杭;张燕妮;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴极(7)，该阳极(6)与阴极(7)之间为钝化层(8)，钝化层(8)上淀积有浮空场板(9)，用于降低阳极下方边缘电场峰值，提高击穿电压。本发明具有工艺简单、成品率高和可靠性好的优点，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 阴极 击穿电压 钝化层 势垒层 浮空 肖特基势垒二极管 大功率系统 边缘电场 场板结构 开关应用 插入层 成核层 成品率 缓冲层 场板 衬底 淀积 | ||
【主权项】：
1.一种基于浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管，自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴极(7)，该阳极(6)与阴极(7)之间为钝化层(8)，其特征在于，钝化层(8)上淀积有浮空场板(9)，用于降低阳极下方边缘电场峰值，提高击穿电压。/n
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