[发明专利]提高薄膜均匀性的方法在审
| 申请号： | 201910808813.6 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110491788A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陆神洲;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高薄膜均匀性的方法，包括：提供一半导体，所述半导体的表面形成有沟槽；对所述半导体的表面进行等离子体照射处理；将旋涂液滴在所述半导体的表面，并对所述半导体进行高速旋转使旋涂液铺在所述半导体整个表面；热处理使得半导体表面形成稳定的薄膜。在本发明提供的提高薄膜均匀性的方法，在向半导体表面涂覆旋涂液之前进行等离子体照射处理，可以使半导体表面单位面积表面的羟基(‑OH)基团密度增加，改变沟槽侧壁的亲/疏水性，从而提高旋涂液与沟槽表面之间的浸润性，进而减小因旋涂液黏度较大，对沟槽表面的浸润性较差所引起的薄膜厚度不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 旋涂液 等离子体照射 半导体表面 薄膜均匀性 沟槽表面 浸润性 薄膜 半导体表面形成 厚度不均匀性 热处理 表面形成 沟槽侧壁 密度增加 整个表面 黏度 疏水性 减小 涂覆 羟基 | ||
【主权项】：
1.一种提高薄膜均匀性的方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体，所述半导体的表面形成有沟槽；/n对所述半导体的表面进行等离子体照射处理；/n将旋涂液滴在所述半导体的表面，并对所述半导体进行高速旋转使旋涂液铺在所述半导体整个表面；/n热处理使得半导体表面形成稳定的薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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