[发明专利]阻变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201910808942.5 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110459676B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 官郭沁;邹荣;田志;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阻变存储器的制备方法，包括步骤S1：提供一衬底，所述衬底顶部设有孔洞；步骤S2：在所述孔洞中多次沉积电极材料形成下电极；步骤S3：在所述下电极以及衬底的上表面通过沉积阻变材料形成阻变材料层；步骤S4：在阻变材料层上方形成上电极。本发明采用在孔洞中多次沉积电极材料的方法形成下电极，解决了现有技术中氮化钛电极材料填充方法存在的填充不满以及填充存在空洞的问题，提高工艺均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1：提供一衬底，所述衬底顶部设有孔洞；/n步骤S2：在所述孔洞中多次沉积电极材料，以形成下电极；/n步骤S3：在所述下电极以及所述衬底的上表面形成阻变材料层；/n步骤S4：在所述阻变材料层的上方形成上电极。/n
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