[发明专利]嵌入式锗硅器件的制造方法及嵌入式锗硅器件结构在审
| 申请号： | 201910809189.1 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110444473A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭;谭俊;颜强 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式锗硅器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一半导体衬底，在所述衬底上形成栅极结构及掩膜层；步骤S2，对掩膜层进行高温热处理；步骤S3，图案化蚀刻半导体衬底，并形成凹陷区；步骤S4，在所述凹陷区中生长种子层、主体层、盖帽层。本发明有利于提升逻辑区的性能，同时能有效改善SRAM区域生长不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅器件 嵌入式 衬底 凹陷区 掩膜层 半导体 蚀刻 高温热处理 区域生长 栅极结构 盖帽层 逻辑区 图案化 种子层 主体层 制造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式锗硅器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供一半导体衬底，在所述衬底上形成栅极结构及掩膜层；步骤S2，对掩膜层进行高温热处理；步骤S3，图案化蚀刻半导体衬底，并形成凹陷区；步骤S4，在所述凹陷区中生长种子层、主体层、盖帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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