[发明专利]低温离子注入机及其工作方法在审
| 申请号： | 201910809230.5 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110473812A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘东伟;张立;谢威 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/265 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温离子注入机，包括：预真空腔，传送腔，角度对准腔，工艺腔；角度对准腔设置有冷却装置，角度对准腔用于在将晶圆传送到工艺腔之前对晶圆进行角度对准以及对晶圆进行预冷却；在工艺腔中包括有冷却台板，冷却台板用于放置经过角度对准以及预冷却的晶圆并对晶圆进行冷却以将晶圆的温度降低到工艺温度范围内；工艺腔用于对处于工艺温度范围的晶圆进行离子注入。本发明还公开了一种低温离子注入机的工作方法。本发明能提高离子注入的连续性，加快跑货速度；同时不会增加新的传送位置以及颗粒污染源。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 角度对准 工艺腔 低温离子 冷却台板 预冷却 注入机 离子 传送位置 冷却装置 温度降低 预真空腔 传送腔 冷却 污染源 | ||
【主权项】：
1.一种低温离子注入机，其特征在于，包括：预真空腔，传送腔，角度对准腔，工艺腔；/n所述角度对准腔设置有冷却装置，所述角度对准腔用于在将晶圆传送到所述工艺腔之前对所述晶圆进行角度对准以及对所述晶圆进行预冷却；/n在所述工艺腔中包括有冷却台板，所述冷却台板用于放置经过角度对准以及预冷却的所述晶圆并对所述晶圆进行冷却以将所述晶圆的温度降低到工艺温度范围内，所述工艺温度为低于室温的低温；所述工艺腔用于对处于工艺温度范围的所述晶圆进行离子注入。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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