[发明专利]一种不同尺寸异质材料混合集成的方法有效
申请号: | 201910809444.2 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN110517955B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 程禹;李彦庆;赵东旭;陈艳明;方小磊;刘佳 | 申请(专利权)人: | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18 |
代理公司: | 长春市吉利专利事务所(普通合伙) 22206 | 代理人: | 李晓莉 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种不同尺寸异质材料混合集成的方法,属于半导体制造领域,该方法通过使用模具完成2英寸晶圆与8英寸晶圆的键合,同时利用机械对准方式与光学对准方式相结合,完成两次键合工艺,在键合工艺之间使用8英寸生产机台进行光刻等工艺,实现不同尺寸异质材料的混合集成,并可以保证对准精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 不同 尺寸 材料 混合 集成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种不同尺寸异质材料混合集成的方法,其特征在于,包括如下步骤,且以下步骤顺次进行:/n步骤一、取2英寸晶圆装于设置在模具中部的切割孔内,取一片8英寸晶圆作为8英寸支撑晶圆;/n步骤二、将载有2英寸晶圆的模具作为底部晶圆,8英寸支撑晶圆作为顶部晶圆,传入晶圆键合机台中,完成键合2英寸晶圆与8英寸支撑晶圆的预键合,得到键合晶圆Ⅰ;/n步骤三、将键合晶圆Ⅰ与模具分离;/n步骤四、利用晶圆减薄机将键合晶圆Ⅰ上的2英寸晶圆减薄至50μm~200μm;/n步骤五、利用8英寸半导体生产设备在键合晶圆Ⅰ中的2英寸晶圆上制作电路,同时在8英寸支撑晶圆上制作对准标记;/n步骤六、取另一片8英寸晶圆,在其上制作电路和对准标记,得到8英寸器件晶圆,8英寸器件晶圆的电路与设置在2英寸晶圆上的电路匹配,8英寸器件晶圆的对准标记与8英寸支撑晶圆上的对准标记匹配;/n步骤七、将8英寸器件晶圆的键合面与键合晶圆Ⅰ中的2英寸晶圆侧对应,通过键合机台完成光学对准并键合,得到键合晶圆Ⅱ;/n步骤八、对键合晶圆Ⅱ的8英寸支撑晶圆侧进行减薄,将8英寸支撑晶圆完全去除;/n步骤九、将2英寸晶圆减薄至10μm~25μm,至此完成2英寸晶圆与8英寸器件晶圆的混合集成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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