[发明专利]一种栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法有效
| 申请号： | 201910809608.1 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110518012B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种栅约束硅控整流器ESD器件及其实现方法，通过将现有栅约束硅控整流器ESD器件的连接阳极的高浓度P型掺杂替换为低浓度P型轻掺杂(20)，并于其上表面形成金属硅化物(30)，引出电极作为所述栅约束硅控整流器ESD器件的阳极，本发明可在提升维持电压的同时，简化制造工艺，降低因引入肖特基结的界面缺陷，并降低其接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 约束 整流器 esd 器件 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于，所述ESD器件包括：/n半导体衬底(80)；/n生成于所述半导体衬底(80)中的N阱(60)和P阱(70)；/n高浓度N型掺杂(28)、低浓度P型轻掺杂(20)置于N阱(60)上部，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于所述P阱(70)上部；/n在所述高浓度N型掺杂(28)的上方、低浓度P型轻掺杂(20)的上方及所述高浓度N型掺杂(24)的上方、高浓度P型掺杂(26)的上方分别生成金属硅化物(30)；/n所述高浓度N型掺杂(28)上方的金属硅化物(30)引出电极连接至连接电源，所述低浓度P型轻掺杂(20)上方的金属硅化物(30)引出电极作为所述栅约束硅控整流器ESD器件的阳极，所述高浓度N型掺杂(24)的上方的金属硅化物(30)与所述高浓度P型掺杂(26)上方的金属硅化物(30)相连并引出电极组成所述栅约束硅控整流器ESD器件的阴极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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