[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和显示装置有效
| 申请号： | 201910809777.5 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110518072B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王庆贺;王东方;程磊磊;苏同上;李广耀;王海涛;汪军;刘宁;李伟;张扬;黄勇潮;倪柳松;胡金良;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H10K59/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 曲鹏;张京波 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法和显示装置。薄膜晶体管包括在基底上叠设的第一栅电极、导体转换层和第二栅电极，所述导体转换层分别与所述第一栅电极和第二栅电极连接，所述导体转换层用于通过在绝缘状态和导电状态之间转换使所述薄膜晶体管形成单栅薄膜晶体管或双栅薄膜晶体管。本发明通过设置导体转换层且导体转换层与第一栅电极和第二栅电极连接，利用导体转换层在绝缘状态和导电状态之间转换，实现单栅薄膜晶体管‑双栅薄膜晶体管的转换，有效降低了薄膜晶体管的能耗，提高了薄膜晶体管的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括在基底上叠设的第一栅电极、导体转换层和第二栅电极，所述导体转换层分别与所述第一栅电极和第二栅电极连接，所述导体转换层用于通过在绝缘状态和导电状态之间转换使所述薄膜晶体管形成单栅薄膜晶体管或双栅薄膜晶体管。/n
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